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AO4419

發布時間:2019/10/16 19:16:00 訪問次數:53發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4419
30V P溝道MOSFET
AO4419結合了先進的溝槽MOSFET
低電阻封裝技術提供RDS(ON)極低。 該設備是負載開關的理想選擇和電池保護應用


產品概要:AO4419
VDS -30V
ID(在VGS = -10V時)-9.7A
RDS(ON)(在VGS = -10V時)<20mΩ
RDS(ON)(在VGS = -4.5V時)<35mΩ
經過100%UIS測試
已測試100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4419
描述MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-9.7A(Ta)-3.1W(Ta)-8-SOIC


一般信息:AO4419

數據列表AO4419 Datasheet;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-
其它名稱785-1024-2


規格:AO4419

FET 類型P 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)9.7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)20 毫歐 @ 9.7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)32nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)1900pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

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