位置:51電子網 » 企業新聞

AO4449

發布時間:2019/10/16 19:15:00 訪問次數:54發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4449
30V P溝道MOSFET
AO4449使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS(ON)和超低的低柵極電荷。 這個該設備適合用作負載開關或PWM應用程序。


產品概要:AO4449
VDS 30V
ID(在VGS = -10V時)-7A
RDS(ON)(在VGS = -10V時)<34mΩ
RDS(ON)(在VGS = -4.5V時)<54mΩ
經過100%UIS測試
已測試100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4449
描述MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-7A(Ta)-3.1W(Ta)-8-SOIC


一般信息:AO4449

數據列表AO4449;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-
其它名稱785-1199-2


規格:AO4449

FET 類型P 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)34 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)16nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)910pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

上一篇:AO4801A

下一篇:AO4419

相關新聞

相關型號



山东11选5专家计划