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AO4832

發布時間:2019/10/16 19:13:00 訪問次數:50發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4832
30V雙N溝道MOSFET
AO4832使用先進的溝槽技術來提供具有低柵極電荷的出色RDS(ON)。該設備適用于SMPS和通用應用程序。


產品概要:AO4832
VDS 30V
ID(在VGS = 10V時)10A
RDS(ON)(在VGS = 10V時)<13mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V時)<17.5mΩ
經過100%UIS測試
已測試100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4832
描述MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述2-N-通道(雙)-Mosfet-陣列-30V-10A-2W-表面貼裝型-8-SOIC


一般信息:AO4832

數據列表AO4832;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-

規格:AO4832

FET 類型2 N-通道(雙)
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)10A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)13 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)17nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)910pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝8-SOIC

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