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AO4629

發布時間:2019/10/16 19:12:00 訪問次數:49發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:AO4629
30V互補MOSFET
AO4629使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 這個互補的N和P溝道MOSFET配置為低輸入電壓逆變器應用的理想選擇。


產品概要:AO4629
N通道P通道
VDS = 30V -30V
ID = 6A(VGS = 10V)-5.5A(VGS = -10V)
RDS(開啟)RDS(開啟)
<30mΩ(VGS = 10V)<41mΩ(VGS = -10V)
<42mΩ(VGS = 4.5V)<74mΩ(VGS = -4.5V)
經過100%UIS測試
經過100%UIS測試
已測試100%Rg
已測試100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4629
描述MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道-共漏-Mosfet-陣列-30V-6A-5.5A-2W-表面貼裝型-8-SOIC


一般信息:AO4629

數據列表AO4629;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-
其它名稱785-1555-2
AO4629-ND


規格:AO4629

FET 類型N 和 P 溝道,共漏
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)6A,5.5A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)30 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)6.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)310pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝8-SOIC

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