位置:51電子網 » 企業新聞

AO8814

發布時間:2019/10/15 23:12:00 訪問次數:47發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO8814
共漏雙N通道增強模式字段
效應晶體管
一般說明
AO8814使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS(ON),低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V時運行保持12V VGS(MAX)額定值。 它具有ESD保護。該設備適合用作單向或雙向雙向負載開關,通過其共漏極配置實現。


特征:AO8814
VDS(V)= 20V
ID = 7.5安(VGS = 10V)
RDS(ON)<16mΩ(VGS = 10V)
RDS(ON)<18mΩ(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<20mΩ(VGS = 3.6V)
RDS(ON)<24mΩ(VGS = 2.5V)
RDS(ON)<34mΩ(VGS = 1.8V)
ESD額定值:2500V HBM


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO8814
描述MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述2-N-溝道(雙)共漏-Mosfet-陣列-20V-1.5W-表面貼裝型-8-TSSOP


一般信息:AO8814

數據列表AO8814;
TSSOP8 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-

規格:AO8814

FET 類型2 N 溝道(雙)共漏
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)-
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)16 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)15.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)1390pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝8-TSSOP

上一篇:AO8820

下一篇:AO4884

相關新聞

相關型號



山东11选5专家计划