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AO8820

發布時間:2019/10/15 23:11:00 訪問次數:45發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO8820
20V共漏雙N溝道MOSFET
AO8820使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS(ON),低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至1.8V,同時保持12V VGS(MAX)評分。 它具有ESD保護。 該設備適合使用作為單向或雙向負載開關,通過其共漏極配置。


產品概要:AO8820
VDS 20V
ID(在VGS = 10V時)7A
RDS(ON)(在VGS = 10V時)<21mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V時)<24mΩ
RDS(ON)(在VGS = 3.6V時)<28mΩ
RDS(ON)(在VGS = 2.5V時)<32mΩ
RDS(ON)(在VGS = 1.8V時)<50mΩ


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO8820
描述MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述2-N-溝道(雙)共漏-Mosfet-陣列-20V-7A-1.5W-表面貼裝型-8-TSSOP


一般信息:AO8820

數據列表AO8820;
TSSOP8 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-
其它名稱785-1097-2


規格:AO8820

FET 類型2 N 溝道(雙)共漏
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)7A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)21 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)500pF @ 10V
功率 - 最大值1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝8-TSSOP

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