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AO6601

發布時間:2019/10/15 23:10:00 訪問次數:43發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO6601
30V互補MOSFET
AO6601使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 的互補MOSFET形成高速功率逆變器,適合多種應用。


產品概要:AO6601
N通道P通道
VDS = 30V -30V
ID = 3.4A(VGS = 10V)-2.3A(VGS = -10V)
RDS(開啟)RDS(開啟)
<60mΩ(VGS = 10V)<115mΩ(VGS = -10V)
<70mΩ(VGS = 4.5V)<150mΩ(VGS = -4.5V)
<90mΩ(VGS = 2.5V)<200mΩ(VGS = -2.5V)


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO6601
描述MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道互補型-Mosfet-陣列-30V-3.4A-2.3A-1.15W-表面貼裝型-6-TSOP


一般信息:AO6601

數據列表AO6601;
TSOP6 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列-
其它名稱785-1076-2


規格:AO6601

FET 類型N 和 P 溝道互補型
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)3.4A,2.3A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)60 毫歐 @ 3.4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)285pF @ 15V
功率 - 最大值1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼SC-74,SOT-457
供應商器件封裝6-TSOP

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