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CSD18533Q5A

發布時間:2019/10/15 22:57:00 訪問次數:45發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:CSD18533Q5A
這款4.7mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設計成在功率轉換應用中替代地降低功率損耗。

特性:CSD18533Q5A
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩額定值
邏輯合理
無鉛鉛鍍層
符合RoHS標準
無鹵素
小尺寸尺寸無引線(SON)5mm x 6mm塑料封裝


應用范圍:CSD18533Q5A
直流-直流轉換
次級側同步整流器
電機控制


制造商:CSD18533Q5A
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSONP-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導通電阻:
6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.9 V
Qg-柵極電荷:
29 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.2 W
配置:
Single
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
6 mm
系列:
CSD18533Q5A
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.9 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
122 S
下降時間:
2 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
5.5 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
15 ns
典型接通延遲時間:
5.2 ns

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