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FCD380N60E

發布時間:2019/10/14 18:15:00 訪問次數:65發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:FCD380N60E
FCD380N60E:N內置SuperFET®II Easy-Drive MOSFET 600 V,10.2 A,380mΩ
SuperFET®II MOSFET是飛兆利用互補平衡技術實現出色的低導通電阻和串聯晶體管性能的全新高壓超級結(SJ)MOSFET系列產品。 因此,SuperFET II MOSFET非常適合開關電源應用,如功率因數校正(PFC),服務器/電信電源,平板電視電源,ATX電源及工業電源應用。


特性:FCD380N60E
TJ = 150°C時為650 V
RDS(on)電阻= 380mΩ
超低甲醛含量(典型值Qg = 34 nC)
低有效輸出電容(典型值Coss.eff = 97 pF)
100%經過雪崩擊穿測試


應用:FCD380N60E
該產品是一般用途,適用于許多不同的應用程序。


制造商:FCD380N60E
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續漏極電流:
10.2 A
Rds On-漏源導通電阻:
380 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3.5 V
Qg-柵極電荷:
34 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
106 W
配置:
Single
商標名:
SuperFET II
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
2.39 mm
長度:
6.73 mm
產品:
MOSFET
系列:
FCD380N60E
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
6.22 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
10 S
下降時間:
10 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
9 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
64 ns
典型接通延遲時間:
17 ns
單位重量:
260.370 mg

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