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MT40A512M16LY-075:E

發布時間:2019/10/14 18:11:00 訪問次數:59發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





描述:MT40A512M16LY-075:E
DDR4 SDRAM是一種高速動態隨機存取存儲器,內部配置為x16配置的8個存儲區DRAM,以及x4和x8配置的16個存儲區DRAM。 DDR4 SDRAM使用8n預取架構來實現高速操作。 8n-prefetch體系結構與接口結合在一起設計用于在每個時鐘周期在I / O引腳傳輸兩個數據字。
DDR4 SDRAM的單個READ或WRITE操作由單個8n位組成內部DRAM內核和兩個相應的n位進行寬四時鐘數據傳輸在I / O引腳上進行半個時鐘周期的寬數據傳輸。


特征:MT40A512M16LY-075:E
•VDD = VDDQ = 1.2V±60mV
•VPP = 2.5V,–125mV / + 250mV
•片上內部可調VREFDQ生成
•1.2V偽漏極開路I / O
•TC最高可達95°C
–最高85°C的64ms,8192個周期的刷新
–> 85°C至95°C時32ms,8192個周期的刷新
•16個內部銀行(x4,x8):4組,每組4個銀行
•8個內部銀行(x16):2組,每組4個銀行
•8n位預取架構
•可編程數據選通脈沖前導
•數據選通前導訓練
•命令/地址延遲(CAL)
•多用途寄存器的讀取和寫入功能
•寫作練級
•自刷新模式
•低功耗自動自刷新(LPASR)
•溫控刷新(TCR)
•細粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度的節能
•輸出驅動器校準
•標稱,暫存和動態片上終止
(ODT)
•數據總線的數據總線反轉(DBI)
•命令/地址(CA)奇偶校驗
•數據總線寫循環冗余校驗(CRC)
•每個DRAM的尋址能力
•連接測試
•sPPR和hPPR功能
•符合JEDEC JESD-79-4


制造商:MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
類型:
SDRAM - DDR4
數據總線寬度:
16 bit
組織:
512 M x 16
封裝 / 箱體:
FBGA-96
存儲容量:
8 Gbit
最大時鐘頻率:
1333 MHz
電源電壓-最大:
1.26 V
電源電壓-最小:
1.14 V
電源電流—最大值:
100 mA
最小工作溫度:
0 C
最大工作溫度:
+ 95 C
系列:
MT40A
封裝:
Tray
商標:
Micron
安裝風格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
DRAM
工廠包裝數量:
1080
子類別:
Memory & Data Storage

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