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ATF-58143-TR1G

發布時間:2019/10/14 15:53:00 訪問次數:44發布企業:深圳市匯萊威科技有限公司

產品種類: 射頻JFET晶體管 類型: GaAs EpHEMT 正向跨導 - 最小值: 410 mmho 漏源電壓 VDS: 5 V 閘/源擊穿電壓: - 5 V to 1 V 漏極連續電流: 100 mA 頻率: 2 GHz 增益: 16.5 dB 功率耗散: 500 mW 最大工作溫度: + 150 C 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOT-343 封裝: Reel 商標: Avago Technologies 配置: Single Dual Source 噪聲系數: 0.5 dB P1dB: 19 dBm 產品: RF JFET 工廠包裝數量: 3000

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