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車燈芯片OC5021B車燈芯片OC5011車燈芯片OC5022B

發布時間:2019/10/14 12:09:00 訪問次數:58發布企業:深圳市哲瀚電子科技有限公司

OC5021B是一款高效率、高精度的降壓型大功率 LED 恒流驅動控制芯片。

OC5021B 采用固定關斷時間的峰值電流控制方式,關斷時間可通過外部電容進行調節,工作頻率可根據用戶要求而改變。
OC5021B 通過調節外置的電流采樣電阻,能控制高亮度 LED 燈的驅動電流,使 LED 燈亮度達到預期恒定亮度。在 DIM 端加 PWM 信號,可以進行LED 燈調光。DIM 端同時支持線性調光。
OC5021B 內部集成了 VDD 穩壓管以及過溫保護電路,減少外圍元件并提高系統可靠性。
OC5021B 采用 SOT23-6 封裝。

特點

◆寬輸入電壓范圍:3.1V~100V
◆高效率:可高達 93%
◆支持 PWM 調光和線性調光
◆最大工作頻率:1MHz
◆CS 電壓:250mV
◆芯片供電欠壓保護:2.6V
◆關斷時間可調
◆智能過溫保護
◆內置 VDD 穩壓管
應用

◆自行車、電動車、摩托車燈
◆強光手電
◆LED 射燈
◆大功率 LED 照明

◆LED 背光

升壓恒流:

OC6701 3.2~100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以內

OC6700 3.2~60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以內

OC6702 3.2~100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以內

降壓恒流:

OC5021 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5020 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5022 3.2~60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以內
OC5028 3.2~100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以內
OC5011 5~40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5010 5~40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以內

LED DRIVER DC-DC升降壓恒流

OC4001 5~100V 3.2~100V 3A

LED DRIVER DC-DC線性降壓恒流

OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA

OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴,實際電流決定于MOS管功耗
OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實際電流決定于IC整體耗散功率

LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列:LED遠近光燈專用芯片

OC5200 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以內
OC5208 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以內

LED DRIVER DC-DC降壓恒流專用IC系列:多功能LED手電筒專用芯片

OC5351 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以內
OC5331 3.2~100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以內

DC-DC降壓恒壓

OC5801 8~100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以內

OC5800 8~100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以內

9月初,在上海中國國際半導體博覽會舉行前夕,紫光集團旗下的長江存儲宣布開始量產基于Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND閃存 ,而這也是中國首次實現64層3D NADA閃存芯片的量產。產品將應用于固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。

在NAND Flash市場中,三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部數據、英特爾這六家企業長期壟斷著全球99%以上的份額。據編者了解,在今年的第一季度,全球市場占有率前二的三星和東芝甚至合計占領超過50%的NAND Flash市場份額。而縱觀整個NAND Flash市場,已經有很長一段時間沒有出現過新的玩家,特別是進入3D NAND時代后,技術門檻的提高讓許多NAND Flash芯片的后來者望而卻步。

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作為后來者的長江存儲,其實早在2018年,就已經量產了32層3D NAND閃存芯片。然而在2018年,各家的64層、72層3D NAND閃存已經是主打產品,早已全面鋪貨,落后一代的差距使得當時長江存儲并沒有引起業界關注。

而去年的閃存暴跌,各大廠商延緩了96層3D NAND的擴產計劃,從而導致了3D NAND的技術升級進展放緩。盡管目前,96層3D NAND已經有部分廠商開始批量出貨,但市場上產品并不多,暫時還是由64層3D NAND芯片占據主流市場。因此,這就給長江存儲帶來了一次絕佳的趕超機會。

在NAND閃存市場,技術創新才是第一生產力,各家閃存生產商都在比拼著存儲顆粒的單位容量密度和I/O讀寫速度。據編者了解,長江存儲本次量產的64層3D NAND采用了自主研發的Xtacking的堆棧架構,不同于其他市面上的NAND閃存產品,它可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元,從而大幅提高儲存密度。而在I/O速度方面,官方宣稱Xtacking技術能夠大幅提升NAND I/O速度到3Gbps,而三星在去年7月宣布量產的第五代64層V-NAND 3D堆疊閃存I/O速度僅為1.4Gbps。

但截至目前為止,長江存儲并沒有公開具體產品的I/O速度,也沒有實際產品在市面上發布,所以,這個數據還有待商榷。參考當年轟動一時的英特爾3D XPoint技術,官方說法為"性能和可靠性是普通閃存的1000倍,容量密度是內存的10倍"。然而,在后來的實測中,證實理論值與實際值相差甚遠。

值得一提的是,今年7月,三星已經量產第六代136層V-NAND 3D堆疊閃存,對比之下,三星領先的幅度可想而知。

況且,與DRAM市場不同,盡管六大廠商占據99%以上的份額,但存儲芯片市場的競爭一向十分激烈。即使近年閃存價格暴跌,市場遇冷,頭部廠商們仍然不遺余力地致力于新技術的推進。三星為了進一步鞏固其領先的優勢,在今年已經宣布投資70億美元在西安設廠,并在研發方面還將加大投入;SK海力士也宣布投資約1.22萬億韓元用于加強合作伙伴公司和半導體生態系統的關系。

因此,長江存儲目前面臨的處境依然很嚴峻,畢竟相比其他廠商,長江存儲目前還是處于"只出不入"的階段。再加上目前閃存市場還處于低迷的狀態,在64層3D NAND閃存芯片量產后,長江存儲當務之急便是如何盡快取得市場份額。

雖然業界人士都普遍看好明年的NAND閃存市場,但從三星等巨頭擴張產線的動作來看,顯然他們都已經準備好即將到來的新一輪需求,將進一步釋放產能,供過于求的狀況可能還會持續很長一段時間。這樣一來,對于長江儲存而言可能并不是好事,市場價格低迷使得價格優勢不再適用。

不過,據業內人士透露,長江存儲最快明年將跳過96層直接進入128層3D NAND閃存的生產,這將有望接近甚至追趕上國際先進水平。屆時,也許才是國產儲存芯片能夠真正跟國際大廠一決高下的時刻。

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